收藏本站
IXTA3N100P IXTP3N100P
IXTH3N100P
3.0
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
5.5
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
2.5
V GS = 10V
7V
5.0
4.5
4.0
V GS = 10V
7V
2.0
6V
3.5
3.0
6V
1.5
2.5
1.0
2.0
1.5
0.5
0.0
5V
1.0
0.5
0.0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
3.0
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 1.5A Value
vs. Junction Temperature
2.5
V GS = 10V
7V
2.8
2.6
2.4
V GS = 10V
2.0
6V
2.2
2.0
1.8
I D = 3A
1.5
1.6
1.4
I D = 1.5A
1.0
0.5
0.0
5V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 1.5A Value
vs. Drain Current
3.2
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
2.8
2.4
2.0
1.8
1.6
1.6
1.2
1.4
1.2
0.8
1.0
0.8
T J = 25oC
0.4
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTH3N120 MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
IXTH40N30 MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
IXTH41N25 MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A
IXTH440N055T2 MOSFET N-CH 55V 440A TO-247
IXTH450P2 MOSFET N-CH 500V 16A TO247
IXTH48N15 MOSFET N-CH 150V 48A TO-247
IXTH48N20 MOSFET N-CH 200V 48A TO-247
IXTH48P20P MOSFET P-CH 200V 48A TO-247
相关代理商/技术参数
IXTH3N120 功能描述:MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH3N150 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH40N25 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-218VAR
IXTH40N30 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH40N30 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXTH40N50L2 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH41N25 功能描述:MOSFET 41 Amps 250V 0.072 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH420N04T2 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube